|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2008 |
| 1. |
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Д. Р. Мифтахутдинов, “Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора”, Квантовая электроника, 38:1 (2008), 16–22   [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, D. R. Miftakhutdinov, “Modes of a semiconductor rectangular microcavity”, Quantum Electron., 38:1 (2008), 16–22   ] |
2
|
|
2007 |
| 2. |
Е. В. Андреева, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, П. И. Лапин, В. В. Прохоров, С. Д. Якубович, “Мощный многомодовый суперлюминесцентный диод с длиной волны излучения 840 нм”, Квантовая электроника, 37:11 (2007), 996–1000 [E. V. Andreeva, D. V. Batrak, A. P. Bogatov, P. I. Lapin, V. V. Prokhorov, S. D. Yakubovich, “High-power multimode superluminescent diode emitting at 840 nm”, Quantum Electron., 37:11 (2007), 996–1000 ] |
5
|
| 3. |
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, “Мощность полупроводникового лазера гребнёвого типа в одночастотном режиме генерации”, Квантовая электроника, 37:8 (2007), 745–752 [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, “Output power of a ridge semiconductor laser in the single-frequency regime”, Quantum Electron., 37:8 (2007), 745–752 ] |
8
|
|
2006 |
| 4. |
С. А. Плисюк, Д. В. Батрак, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения”, Квантовая электроника, 36:11 (2006), 1058–1064 [S. A. Plisyuk, D. V. Batrak, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of emission characteristics and optimisation of waveguiding parameters of a ridge semiconductor heterolaser to maximise the emission brightness”, Quantum Electron., 36:11 (2006), 1058–1064 ] |
12
|
| 5. |
Д. Р. Мифтахутдинов, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, “Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 751–757 [D. R. Miftakhutdinov, D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, “Autocorrelation function and emission spectrum of single-transverse-mode heterolasers in the self-sustained intensity pulsation regime”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 751–757 ] |
1
|
| 6. |
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. В. Батрак, Р. Гютер, К. Пашке, Х. Венцель, “Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 745–750 [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. V. Batrak, R. Güther, K. Paschke, H. Wenzel, “Spectral properties of a semiconductor α-DFB laser cavity”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 745–750 ] |
3
|
| 7. |
Д. В. Батрак, С. А. Плисюк, “Применимость метода эффективного показателя преломления для моделирования гребневых оптических волноводов”, Квантовая электроника, 36:4 (2006), 349–352 [D. V. Batrak, S. A. Plisyuk, “Applicability of the effective index method for simulating ridge optical waveguides”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 349–352 ] |
8
|
|
2005 |
| 8. |
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, “Приближëнное условие ортогональности для мод открытого резонатора”, Квантовая электроника, 35:4 (2005), 356–358 [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, “Approximate orthogonality relation for the modes of an open cavity”, Quantum Electron., 35:4 (2005), 356–358 ] |
| 9. |
Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм”, Квантовая электроника, 35:4 (2005), 316–322 [D. V. Batrak, S. A. Bogatova, A. V. Borodaenko, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of the material gain in quantum-well InGaAs layers used in 1.06-μm heterolasers”, Quantum Electron., 35:4 (2005), 316–322 ] |
6
|
|
2003 |
| 10. |
Д. В. Батрак, А. П. Богатов, Ф. Ф. Каменец, “Устойчивость и автостабилизация одночастотного режима генерации полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 33:11 (2003), 941–948 [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, F. F. Kamenets, “Stability and self-stabilisation of single-frequency lasing in a semiconductor laser”, Quantum Electron., 33:11 (2003), 941–948 ] |
7
|
|
Обратная связь: