Устойчивость и автостабилизация одночастотного режима генерации полупроводникового лазера

На основе модели, включающей одну лазерную моду и две ближайшие к ней подпороговые моды, рассмотрена задача устойчивости одночастотной генерации. Показано, что при параметрическом взаимодействии лазерной и подпороговых мод из-за биения концентрации электронов на межмодовой частоте возможна автостабилизация одночастотного режима генерации, в котором ширина области расстройки лазерной частоты относительно спектрального максимума усиления может превышать межмодовое расстояние и может наблюдаться спектральный гистерезис.