Мощность полупроводникового лазера гребнёвого типа в одночастотном режиме генерации

Показано, что для типичных значений параметров полупроводникового лазера со встроенным горизонтальным волноводом существует ограничение сверху на выходную мощность, при которой возможна одночастотная лазерная генерация. Это ограничение обусловлено изменением эффективного усиления для продольных мод, спектрально близких к лазерной моде, вследствие нелинейного процесса, при котором возникают осцилляции концентрации носителей на межмодовых частотах. При наличии в резонаторе лазера случайных или намеренно внесённых неоднородностей, максимально достижимая мощность в одночастотном режиме генерации может значительно (более чем на порядок) превышать соответствующую величину для лазера без неоднородностей.