|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
1. |
Б. И. Махсудов, “Влияние тепловых нейтронов на излучательные характеристики InGaAs/AlGaAs-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 45:3 (2015), 216–217 [B. I. Makhsudov, “Effect of thermal neutrons on emission characteristics of InGaAs/AlGaAs heterolasers”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 216–217 ] |
4
|
|
2012 |
2. |
Б. И. Махсудов, “Влияние гамма-облучения на излучательные характеристики лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 42:8 (2012), 745–746 [B. I. Makhsudov, “Effect of gamma irradiation on emission characteristics of laser heterostructures”, Quantum Electron., 42:8 (2012), 745–746 ] |
3
|
|
1988 |
3. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, “Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 253–258 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, “Influence of temperature on the angular distribution of radiation emitted by InGaAsP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 160–163 ] |
1
|
|
1987 |
4. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, “Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные
испытания лазеров на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 57:8 (1987), 1570–1574 |
5. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, E. T. Nedelin, V. I. Shveǐkin, “Low-threshold InGaAsP/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403 ] |
6. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|