|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 8, страницы 745–746
(Mi qe14906)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Влияние гамма-облучения на излучательные характеристики лазерных гетероструктур
Б. И. Махсудов Таджикский национальный университет, г. Душанбе
Аннотация:
Изучены изменения порогового тока и дифференциальной эффективности в условиях радиационного облучения γ-квантами инжекционных InGaAsP/InP-лазеров, излучающих в диапазоне 1.3 мкм (доза облучения ~1014—1017 квант/см2). Наблюдалось улучшение характеристики при малых значениях потока квантов, а процесс деградации был замечен при дозах, превышающих 1014 квант/cм2.
Ключевые слова:
инжекционный лазер, пороговый ток, дифференциальная эффективность, доза облучения, γ-кванты.
Поступила в редакцию: 28.05.2012 Исправленный вариант: 18.06.2012
Образец цитирования:
Б. И. Махсудов, “Влияние гамма-облучения на излучательные характеристики лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 42:8 (2012), 745–746 [Quantum Electron., 42:8 (2012), 745–746]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14906 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i8/p745
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 178 | PDF полного текста: | 85 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 2 |
|