Влияние тепловых нейтронов на излучательные характеристики InGaAs/AlGaAs-гетеролазеров

Изучены изменения порогового тока инжекционных квантоворазмерных InGaAs/AlGaAs-гетеролазеров, излучающих вблизи длины волны λ=0.7мкм, при облучении тепловыми нейтронами. Обнаружено уменьшения порогового тока накачки при малых дозах(10⁷ нейтр./см²), а также увеличение этого тока и деградация структуры при дозе более 6×10⁷ нейтр./см². Выявлено, что основной причиной роста порогового тока при больших дозах облучения являются ядерные реакции типа ₄₉In¹¹⁵(n,γ) ₄₉In¹¹⁶ и β-распад изотопа ₄₉In¹¹⁶ в результат которого появляются атомы ₅₀Sn¹¹⁶.