Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Усиков Александр Сергеевич

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 8
Научных статей: 8

Статистика просмотров:
Эта страница:114
Страницы публикаций:536
Полные тексты:168
Списки литературы:28
кандидат физико-математических наук (1983)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Усиков, Александр Сергеевич. Разработка и исследование свойств гетероструктур $InGaAsP / InP$ для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 209 с. : ил.


https://www.mathnet.ru/rus/person74841
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=37302

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6  mathnet  elib; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 4
2018
2. В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
2016
3. В. Н. Петров, В. Г. Сидоров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, H. Helava, Ю. Н. Макаров, “Фрактальная природа светоизлучающих структур на основе III–N наноматериалов и связанные с ней явления”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1195–1201  mathnet  elib; V. N. Petrov, V. G. Sidorov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, H. Helava, Yu. N. Makarov, “On the fractal nature of light-emitting structures based on III–N nanomaterials and related phenomena”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1173–1179 8
4. А. С. Усиков, H. Helava, A. Nikiforov, М. В. Пузык, Б. П. Папченко, Ю. В. Ковалева, Ю. Н. Макаров, “Электрохимическое травление $p$$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016),  80–87  mathnet  elib; A. S. Usikov, H. Helava, A. Nikiforov, M. V. Puzyk, B. P. Papchenko, Yu. V. Kovaleva, Yu. N. Makarov, “Electrochemical etching of $p$$n$-GaN/AlGaN photoelectrodes”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 482–485 2
2001
5. И. Л. Крестников, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Д. А. Бедарев, Е. Е. Заварин, Ю. Г. Мусихин, Н. М. Шмидт, А. Ф. Цацульников, А. С. Усиков, Н. Н. Леденцов, Ж. И. Алфёров, “Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы”, УФН, 171:8 (2001),  857–858  mathnet; I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 1
1988
6. Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Б. В. Пушный, Т. С. Таборов, А. С. Усиков, “Кинетика фототока в арсенидгаллиевых структурах со встроенным потенциальным барьером”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1565–1570  mathnet  isi
1986
7. В. И. Кучинский, Н. И. Майорова, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, Б. В. Пушный, В. Б. Смирницкий, А. С. Усиков, “Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий”, Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300  mathnet  isi
1983
8. М. Г. Васильев, А. А. Гвоздев, А. Т. Гореленок, Ю. В. Гуляев, В. Ф. Дворянкин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, В. В. Кожин, Е. Т. Неделин, Г. А. Синицина, И. С. Тарасов, А. А. Телегин, А. С. Усиков, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией”, ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414  mathnet  isi

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024