Электрохимическое травление $p$–$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов

Исследованы особенности травления $p$–$n$-структур GaN/AlGaN в щелочном электролите на основе KOH. Установлено, что вначале процесс коррозии проходил сквозь $p$-слои по вертикальным каналам, связанным с прорастающими дефектами в структуре. Затем процесс коррозии проходил в латеральном направлении по $n$-слоям структуры, формируя локальные полости и пустоты. Латеральное травление связано с присутствием положительных пьезоэлектрических зарядов на границах слоев $n$-AlGaN и $n$-GaN и положительно заряженных ионизованных доноров в области пространственного заряда $p$–$n$-перехода.