|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 9, страницы 80–87
(Mi pjtf6434)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Электрохимическое травление $p$–$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов
А. С. Усиковab, H. Helavab, A. Nikiforovc, М. В. Пузыкad, Б. П. Папченкоa, Ю. В. Ковалеваa, Ю. Н. Макаровbe a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Nitride Crystals Inc., USA
c Boston University, Photonics Center, USA
d Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
e ГК "Нитридные кристаллы", С.-Петербург
Аннотация:
Исследованы особенности травления $p$–$n$-структур GaN/AlGaN в щелочном электролите на основе KOH. Установлено, что вначале процесс коррозии проходил сквозь $p$-слои по вертикальным каналам, связанным с прорастающими дефектами в структуре. Затем процесс коррозии проходил в латеральном направлении по $n$-слоям структуры, формируя локальные полости и пустоты. Латеральное травление связано с присутствием положительных пьезоэлектрических зарядов на границах слоев $n$-AlGaN и $n$-GaN и положительно заряженных ионизованных доноров в области пространственного заряда $p$–$n$-перехода.
Поступила в редакцию: 16.12.2015
Образец цитирования:
А. С. Усиков, H. Helava, A. Nikiforov, М. В. Пузык, Б. П. Папченко, Ю. В. Ковалева, Ю. Н. Макаров, “Электрохимическое травление $p$–$n$-GaN/AlGaN-фотоэлектродов”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 80–87; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 482–485
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6434 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i9/p80
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 20 | PDF полного текста: | 15 |
|