|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Формирование $ncl$-Si в аморфной матрице $a$-SiO$_{x}$ : H, расположенной вблизи анода и на катоде, с помощью модулированной по времени DC-плазмы с (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1547–1556   ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Formation of $ncl$-Si in the amorphous matrix $a$-SiO$_{x}$ : H located near the anode and on the cathode, using a time-modulated DC plasma with the (SiH$_4$–Ar–O$_{2}$) gas phase ($C_{\mathrm{O}_2}$ = 21.5 мол%)”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1514–1523 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, “Изучение влияния временных характеристик модулированной DC-плазмы с (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$)-газовой фазой на рост ncl–Si в матрице $a$-SiO$_{x}$:H (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 мол%)”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1137–1144 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, “Effect of the temporal characteristics of modulated DC plasma with the (SiH$_{4}$–Ar–O$_{2}$) gas phase on ncl-Si growth in an$a$-SiO$_{x}$:H matrix (C$_{\mathrm{O}_2}$ = 15.5 mol %)”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1255–1263 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, О. Б. Гусев, И. Н. Трапезникова, “Получение нанокластеров кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), с помощью модулированной во времени плазмы магнетрона на постоянном токе”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 538–548 ; Yu. K. Undalov, E. I. Terukov, O. B. Gusev, I. N. Trapeznikova, “On the formation of silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix $a$-SiO$_{x}$:H (0 $<x<$ 2), with time-modulated dc magnetron plasma”, Semiconductors, 50:4 (2016), 530–540 |
3
|
| 4. |
В. А. Терехов, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Е. В. Паринова, Д. Е. Спирин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 212–217 ; V. A. Terekhov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, E. V. Parinova, D. E. Spirin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Composition and optical properties of amorphous $a$-SiO$_x$ :H films with silicon nanoclusters”, Semiconductors, 50:2 (2016), 212–216 |
3
|
|
2011 |
| 5. |
О. Б. Гусев, Ю. С. Вайнштейн, Ю. К. Ундалов, О. С. Ельцина, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, О. М. Сресели, “Люминесценция аморфных нанокластеров кремния”, Письма в ЖЭТФ, 94:5 (2011), 402–405 ; O. B. Gusev, J. S. Vainshtein, Yu. K. Undalov, O. S. Yeltsina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, O. M. Sreseli, “Luminescence of amorphous silicon nanoclusters”, JETP Letters, 94:5 (2011), 370–373   |
7
|
|
1990 |
| 6. |
Г. А. Медведкин, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Фотоэлектрические свойства структур на основе CdGeP$_{2}$
и его бинарного аналога InP”, ЖТФ, 60:9 (1990), 174–176 |
|
1988 |
| 7. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Фотовольтаический эффект в барьерах $n$-CdO$-$CdGeP$_{2}$”, ЖТФ, 58:7 (1988), 1415–1419 |
| 8. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, “Поляризационная фоточувствительность анизотипных структур
$n$-SiO$_{2}{-}p$-CdGeP$_{2}\langle\text{Ga}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1115–1116 |
| 9. |
Р. Н. Бекимбетов, Ю. В. Рудь, М. А. Таиров, Ю. К. Ундалов, Т. Н. Ушакова, М. Е. Бойко, “Дихроизм кристаллов MnIn$_{2}$Te$_{4}$ и фотоплеохроизм
структур на их основе”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1101–1104 |
|
1986 |
| 10. |
А. В. Лунев, Ю. В. Рудь, Ю. К. Ундалов, “Фотоэлектрические свойства изотипного гетероперехода
$n$-SnO$_{2}{-}n$-CdGeP$_{2}\langle$In$\rangle$”, ЖТФ, 56:10 (1986), 1989–1993 |
|
Обратная связь: