|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
A. P. Nizovtsev, S. Ya. Kilin, A. L. Pushkarchuk, S. A. Kuten, N. A. Poklonski, D. Michels, D. Lyakhov, F. Jelezko, “Spatial and hyperfine characteristics of SiV$^-$ and SiV$^0$ color centers in diamond: DFT simulation”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1391  ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1685–1688 |
4
|
| 2. |
A. I. Siahlo, S. A. Vyrko, S. V. Ratkevich, N. A. Poklonski, A. T. Vlasov, N. N. Hieu, Yu. E. Lozovik, “Quantum chemical calculations of carbon nanoscroll energy rolled from zigzag graphene nanoribbon”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1389 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1678–1681 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Н. Деревяго, “Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 544–553  ; N. A. Poklonskii, S. A. Vyrko, A. N. Dzeraviaha, “Quasi-classical model of the static electrical conductivity of heavily doped degenerate semiconductors at low temperatures”, Semiconductors, 52:6 (2018), 692–701 |
3
|
|
2017 |
| 4. |
А. И. Сягло, А. М. Попов, Н. А. Поклонский, Ю. Е. Лозовик, “Энергетические характеристики и структура углеродных нанорулонов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017), 55–63 ; A. I. Siahlo, A. M. Popov, N. A. Poklonskii, Yu. E. Lozovik, “The energy characteristics and structure of carbon nanoscrolls”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 662–665 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, О. Н. Поклонская, А. Г. Забродский, “Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 738–750 ; N. A. Poklonskii, S. A. Vyrko, O. N. Poklonskaya, A. G. Zabrodskii, “Role of electrostatic fluctuations in doped semiconductors upon the transition from band to hopping conduction (by the example of $p$-Ge:Ga)”, Semiconductors, 50:6 (2016), 722–734 |
15
|
| 6. |
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. И. Ковалев, А. Г. Забродский, “Квазиклассическая модель щели Хаббарда в слабо компенсированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 302–312 ; N. A. Poklonskii, S. A. Vyrko, A. I. Kovalev, A. G. Zabrodskii, “A quasi-classical model of the Hubbard gap in lightly compensated semiconductors”, Semiconductors, 50:3 (2016), 299–308 |
16
|
|
2004 |
| 7. |
Н. А. Поклонский, Н. М. Лапчук, T. М. Лапчук, “Инвертированный сигнал ЭПР содержащих азот дефектов в монокристалле синтетического алмаза при комнатной температуре”, Письма в ЖЭТФ, 80:12 (2004), 880–883 ; N. A. Poklonskii, N. M. Lapchuk, T. M. Lapchuk, “Inverted EPR signal from nitrogen defects in a synthetic diamond single crystal at room temperature”, JETP Letters, 80:12 (2004), 748–751  |
11
|
|
Обратная связь: