|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Н. Деревяго Белорусский государственный университет, г. Минск
Аннотация:
Рассматриваются кристаллы германия, кремния, арсенида галлия и антимонида индия $n$-типа на металлической стороне перехода изолятор–металл (перехода Мотта). В квазиклассическом приближении рассчитываются статическая (на постоянном токе) электрическая проводимость и дрейфовая подвижность электронов $c$-зоны, а также электростатические флуктуации их потенциальной энергии и порог подвижности. Считается, что единичный акт упругого кулоновского рассеяния подвижного электрона происходит только в сферической области кристаллической матрицы, в центре которой расположен ион примеси. Результаты расчетов по предложенным формулам без использования подгоночных параметров численно согласуются с экспериментальными данными в широком диапазоне концентраций водородоподобных доноров при слабой и умеренной их компенсации акцепторами.
Поступила в редакцию: 17.05.2017 Принята в печать: 02.06.2017
Образец цитирования:
Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Н. Деревяго, “Квазиклассическая модель статической электропроводности сильно легированных вырожденных полупроводников при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 544–553; Semiconductors, 52:6 (2018), 692–701
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5799 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p544
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 17 |
|