Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 6, страницы 738–750 (Mi phts6433)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)

Н. А. Поклонскийa, С. А. Выркоa, О. Н. Поклонскаяa, А. Г. Забродскийb

a Белорусский государственный университет, г. Минск
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Развита электростатическая модель ионизационного равновесия между водородоподобными акцепторами и дырками $v$-зоны в кристаллических ковалентных полупроводниках $p$-типа. Область применимости модели – вся изоляторная сторона фазового перехода изолятор-металл (перехода Мотта). Плотность пространственного распределения атомов примесей (акцепторов и доноров), а также дырок по кристаллу считалась пуассоновской, а флуктуации их электростатической потенциальной энергии – гауссовыми. Модель учитывает эффект уменьшения энергии сродства ионизованного акцептора к дырке $v$-зоны, обусловленный экранированием иона (по Дебаю–Хюккелю) как свободными дырками $v$-зоны, так и локализованными, прыгающими между состояниями (0) и (-1) акцепторов в акцепторной зоне. Все доноры находятся в зарядовом состоянии (+1) и в экранировании напрямую не участвуют, но обеспечивают общую электрическую нейтральность образца. В квазиклассическом приближении получены аналитические выражения для среднеквадратичной флуктуации энергии дырки $v$-зоны $W_{p}$ и эффективной ширины акцепторной зоны $W_{a}$. При расчете $W_{a}$ учитывались только флуктуации, обусловленные кулоновским взаимодействием двух ближайших по расстоянию точечных зарядов (ионов примесей и дырок). Показано, что $W_{p}$ меньше, чем $W_{a}$, так как электростатические флуктуации на масштабах, меньших средней дебройлевской длины волны свободной дырки, не проявляются. Порог делокализации для дырок $v$-зоны определяется суммой порога диффузионного протекания и обменной энергии дырок. Проведено вычисление концентрации свободных дырок $v$-зоны при температуре $T_{j}$ перехода от зонной электропроводности на постоянном токе к прыжковой по акцепторным состояниям, получаемой из теоремы вириала. Определена зависимость дифференциальной энергии термической ионизации акцепторов (при температуре 3$T_{j}$/2) от их концентрации $N$ и степени компенсации $K$ (отношение концентраций доноров и акцепторов). Без использования каких-либо подгоночных параметров получено хорошее количественное согласие выполненных расчетов с данными по серии образцов нейтронно-трансмутационно легированного германия $p$-типа вплоть до перехода Мотта.
Поступила в редакцию: 16.11.2015
Принята в печать: 23.11.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 6, Pages 722–734
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616060191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, О. Н. Поклонская, А. Г. Забродский, “Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 738–750; Semiconductors, 50:6 (2016), 722–734
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PokVyrPok16}
\by Н.~А.~Поклонский, С.~А.~Вырко, О.~Н.~Поклонская, А.~Г.~Забродский
\paper Роль электростатических флуктуаций при переходе от зонной электропроводности к прыжковой в легированных полупроводниках (на примере $p$-Ge:Ga)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 738--750
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6433}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368906}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 6
\pages 722--734
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616060191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6433
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i6/p738
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:62
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024