Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1391 (Mi phts6690)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Nanostructure Characterization

Spatial and hyperfine characteristics of SiV$^-$ and SiV$^0$ color centers in diamond: DFT simulation

A. P. Nizovtsevab, S. Ya. Kilina, A. L. Pushkarchukcd, S. A. Kutend, N. A. Poklonskie, D. Michelsf, D. Lyakhovf, F. Jelezkog

a Institute of Physics, National Academy of Sciences of Belarus, 220072 Minsk, Belarus
b National Research Nuclear University "MEPhI", 115409 Moscow, Russia
c Institute of Physical-Organic Chemistry, Nat. Acad. Sci. of Belarus, 220072 Minsk, Belarus
d Institute for Nuclear Problems, Belarusian State University, 220030 Minsk, Belarus
e Physics Department, Belarusian State University, 220030 Minsk, Belarus
f Computer, Electrical and Mathematical Science and Engineering Division, 4700 King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia
g Institute for Quantum Optics, Ulm University, 89069 Ulm, Germany
PDF полного текста (32 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: One of the most promising platforms to implement quantum technologies are coupled electron-nuclear spins in diamond in which the electrons of paramagnetic color centers play a role of “fast” qubits, while nuclear spins of nearby $^{13}$C atoms can store quantum information for a very long time due to their exceptionally high isolation from the environment. Essential prerequisite for a high-fidelity spin manipulation in these systems with tailored control pulse sequences is a complete knowledge of hyperfine interactions. Development of this understanding for the negatively charged “silicon-vacancy” (SiV$^-$) and neutral (SiV$^0$) color center, is a primary goal of this article, where we are presenting shortly our recent results of computer simulation of spatial and hyperfine characteristics of these SiV centers in H-terminated cluster C$_{128}$[SiV]H$_{98}$ along with their comparison with available experimental data.
Ключевые слова: silicon-vacancy (SiV) color center, diamond, $^{13}$C nuclear spin, hyperfine interaction, density functional theory.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований ФМС-036
Министерство образования и науки Российской Федерации
This work has been supported in part by Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research, grants no. FMS-036, and by National Research Nuclear University “MEPhI” (Moscow Engineering Physics Institute).
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1685–1688
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120271
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. P. Nizovtsev, S. Ya. Kilin, A. L. Pushkarchuk, S. A. Kuten, N. A. Poklonski, D. Michels, D. Lyakhov, F. Jelezko, “Spatial and hyperfine characteristics of SiV$^-$ and SiV$^0$ color centers in diamond: DFT simulation”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1391; Semiconductors, 54:12 (2020), 1685–1688
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NizKilPus20}
\by A.~P.~Nizovtsev, S.~Ya.~Kilin, A.~L.~Pushkarchuk, S.~A.~Kuten, N.~A.~Poklonski, D.~Michels, D.~Lyakhov, F.~Jelezko
\paper Spatial and hyperfine characteristics of SiV$^-$ and SiV$^0$ color centers in diamond: DFT simulation
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1391
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6690}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1685--1688
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120271}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6690
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1391
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024