|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Исследование с помощью молекулярной динамики образования димеров на поверхности (001) GaAs при низких температурах”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 134–137   ; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamics study of dimer formation on GaAs (001) surface at low temperatures”, Semiconductors, 55:2 (2021), 175–178 |
|
2019 |
| 2. |
Н. Д. Прасолов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, “Моделирование с помощью молекулярной динамики низкотемпературной реконструкции поверхности (001) GaAs в процессе наноиндентирования”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1424–1426 ; N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, “Molecular dynamic modelling of low temperature reconstruction of GaAs (001) surface during nanoindentation process”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1386–1388 |
3
|
| 3. |
N. D. Prasolov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1164 |
|
2018 |
| 4. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, “Акцепторный центр Mn$_{\operatorname{Ga}}$ в GaAs (Обзор)”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2275–2305 ; N. S. Averkiev, A. A. Gutkin, “Mn$_{\operatorname{Ga}}$ acceptor center in GaAs (review)”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2311–2343 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
А. А. Гуткин, Н. С. Аверкиев, “Анизотропные ян-теллеровские акцепторы, создаваемые в GaAs элементами первой группы с заполненной $d$-оболочкой. Обзор”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1299–1324 ; A. A. Gutkin, N. S. Averkiev, “Anisotropic Jahn–Teller acceptors formed in GaAs by first-group elements with a filled $d$ shell”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1247–1273 |
1
|
|
1991 |
| 6. |
А. А. Гуткин, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Фотолюминесценция, связанная с центрами Au$_{\text{Ga}}$ в GaAs : Au”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 508–512 |
|
1990 |
| 7. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Оценка величины статического искажения и нелинейности ян-теллеровского взаимодействия для глубокого центра Cu$_{Ga}$ в GaAs”, Физика твердого тела, 32:9 (1990), 2667–2676  |
1
|
|
1988 |
| 8. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, А. Ф. Цацульников, “Динамика выстраивания ян-теллеровских центров Cu$_{\text{Ga}}$ в GaAs при давлении вдоль оси [001]”, Физика твердого тела, 30:5 (1988), 1459–1465 |
| 9. |
Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, “Влияние обменного взаимодействия дырки с $3d$-электронами на свойства глубокого акцептора Mn в арсениде галлия”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 765–774 |
|
1986 |
| 10. |
Н. С. Аверкиев, Т. К. Аширов, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, В. Е. Седов, “Размягчение кристалла $p{-}$GaAs, обусловленное глубокими Ян-Теллеровскими центрами Cu”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 2959–2963 |
1
|
|
Обратная связь: