|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
1. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, Е. В. Ильченко, В. Н. Неверов, А. П. Савельев, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1447–1454 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, E. V. Ilchenko, V. N. Neverov, A. P. Savelyev, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Nonuniversal scaling behavior of conductivity peak widths in the quantum Hall effect in InGaAs/InAlAs structures”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1551–1558 |
4
|
|
2017 |
2. |
Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, “The temperature dependence of the conductivity peak values in the single and the double quantum well nanostructures $n$-InGaAs/GaAs after IR-illumination”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 281 ; Semiconductors, 51:2 (2017), 272–278 |
1
|
|
2016 |
3. |
С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1669–1674 ; S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, A. P. Savelyev, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Quantum Hall effect and hopping conductivity in $n$-InGaAs/InAlAs nanoheterostructures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1641–1646 |
2
|
|
1990 |
4. |
Б. А. Аронзон, Ю. Г. Арапов, М. Л. Зверева, М. С. Никитин, И. М. Цидильковский, Н. К. Чумаков, “Проводимость $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в магнитных полях, превышающих
поле перехода металл$-$диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 687–691 |
|
1989 |
5. |
М. В. Якунин, Ю. Г. Арапов, “Резонансы гальваномагнитных эффектов в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2203–2209 |
|
1988 |
6. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, М. Л. Зверева, Г. Л. Штрапенин, “Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых
полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 893–896 |
|
1987 |
7. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, С. И. Жебелев, “Релаксация энергии горячих электронов в бесщелевых полупроводниках $p$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и $p$-Hg$_{1-x}$Mn$_{x}$Te
при гелиевых температурах”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 855–861 |
8. |
И. М. Цидильковский, Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, М. Л. Зверева, “Переход металл–диэлектрик в Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te,
индуцированный магнитным полем”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 792–797 |
|
1986 |
9. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, Г. Л. Штрапенин, И. Н. Горбатюк, И. М. Раренко, “Статическая диэлектрическая проницаемость бесщелевых полупроводников
Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 462–467 |
|
1984 |
10. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, Г. Л. Штрапенин, “СВЧ фотопроводимость тепловых электронов в бесщелевых полупроводниках
Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1185–1190 |
|
1983 |
11. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, М. Л. Зверева, В. И. Стафеев, И. М. Цидильковский, “Локализация электронов в магнитном поле
в $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1392–1396 |
12. |
Ю. Г. Арапов, А. Б. Давыдов, И. М. Цидильковский, “Влияние донорно-акцепторных пар на подвижность электронов
в бесщелевых полупроводниках Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983), 24–26 |
|