|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. М. Труханов, C. А. Тийс, “Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках”, Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31   ; E. M. Trukhanov, S. A. Teys, “An unusual mechanism of misfit stress relaxation in thin nanofilms”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1144–1147 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
5
|
|
2017 |
| 3. |
C. А. Тийс, “Различные СТМ-изображения сверхструктуры чистой грани $\mathrm{Si(133)}$-$6\times2$”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 469–476 ; S. A. Teys, “Different STM images of the superstructure on a clean $\mathrm{Si(133)}$-$6\times2$ surface”, JETP Letters, 105:8 (2017), 477–483   |
5
|
|
2012 |
| 4. |
C. А. Тийс, “Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893 ; S. A. Teys, “Features of atomic processes at the formation of a wetting layer and nucleation of three-dimensional Ge islands on Si(111) and Si(100) surfaces”, JETP Letters, 96:12 (2012), 794–802 |
12
|
|
2010 |
| 5. |
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437 ; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395 |
13
|
|
2004 |
| 6. |
Р. А. Жачук, C. А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, “Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557)”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 467–469 ; R. A. Zhachuk, S. A. Teys, B. Z. Olshanetskii, “Formation of silver nanodots and nanowires on a Si(557) surface”, JETP Letters, 79:8 (2004), 381–382 |
15
|
|
2002 |
| 7. |
А. Б. Талочкин, C. А. Тийс, “Оптические фононы в квантовых точках Ge, полученных на Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 75:6 (2002), 314–317 ; A. B. Talochkin, S. A. Teys, “Optical phonons in Ge quantum dots obtained on Si(111)”, JETP Letters, 75:6 (2002), 264–267 |
7
|
|
Обратная связь: