|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 12, страницы 884–893
(Mi jetpl3314)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si
C. А. Тийс Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
С помощью метода СТМ исследовались промежуточные стадии формирования
смачивающего слоя Ge на поверхностях (111) и (001) Si в квазиравновесных
условиях роста. Продемонстрированы процессы перераспределения атомов Ge
и релаксации напряжений несоответствия посредством формирования поверхностных
структур пониженной плотности и граней, отличных от ориентации подложки.
Проведен анализ мест зарождения новых трехмерных островков Ge после
образования смачивающего слоя. Показаны как принципиальные отличия, так и
общие тенденции протекания атомных процессов при формировании смачивающих
слоев на поверхностях (111) и (100) Si. Плотность трехмерных зародышей
на Si(111) определяется изменившимися условиями поверхностной диффузии
адатомов Ge после смены поверхностной структуры. На грани Si(100) переход
к трехмерному росту определяется зарождением одиночных граней
$\lbrace105\rbrace$ на шероховатой поверхности Ge(100).
Поступила в редакцию: 07.11.2012
Образец цитирования:
C. А. Тийс, “Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893; JETP Letters, 96:12 (2012), 794–802
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3314 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i12/p884
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 197 | PDF полного текста: | 42 | Список литературы: | 48 | Первая страница: | 12 |
|