Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 22, страницы 28–31
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48645.17893 (Mi pjtf5264) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках

Е. М. Труханов, C. А. Тийс

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (546 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48645.17893
Аннотация: Установлен новый механизм релаксации напряжений несоответствия в нанопленках при изменении плотности поверхностных фаз. Он обеспечивается упорядоченным массопереносом атомов из напряженного атомного слоя. В процессе фазового перехода 7 $\times$ 7 $\to$ 5 $\times$ 5 в пленке Ge на Si(111) происходит частичная компенсация сжимающих напряжений на границе объемного кристалла и сверхструктуры за счет растягивающей деформации в неплотных слоях поверхностной фазы.
Ключевые слова: германий, механизм релаксации, сверхструктурный переход, массоперенос.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-29-03292
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 16-29-03292).
Поступила в редакцию: 24.05.2019
Исправленный вариант: 15.07.2019
Принята в печать: 05.08.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 11, Pages 1144–1147
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019110282
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. М. Труханов, C. А. Тийс, “Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках”, Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1144–1147
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TruTey19}
\by Е.~М.~Труханов, C.~А.~Тийс
\paper Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 22
\pages 28--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5264}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.22.48645.17893}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848482}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 1144--1147
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019110282}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5264
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i22/p28
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024