|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
1. |
А. Н. Афанасьев, П. С. Алексеев, А. А. Грешнов, М.А. Семина, “Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 566–577 ; A. N. Afanasiev, P. S. Alekseev, A. A. Greshnov, M.A. Semina, “On the ballistic flow of two-dimensional electrons in a magnetic field”, Semiconductors, 55:6 (2021), 562–573 |
6
|
|
2019 |
2. |
Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев, А. А. Грешнов, R. J. Haug, “Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685 ; G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, Yu. B. Vasil'ev, A. A. Greshnov, R. J. Haug, “Edge doping in graphene devices on SiO$_{2}$ substrates”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1672–1676 |
1
|
3. |
Г. Ю. Васильева, А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, А. А. Усикова, R. J. Haug, “Магнетотранспортная спектроскопия интерфейсных, квантово-ямных и гибридных состояний в структурах с многочисленными слоями HgTe толщиной 16 нм”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 947–952 ; G. Yu. Vasil'eva, A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, A. A. Usikova, R. J. Haug, “Magnetotransport spectroscopy of the interface, quantum well, and hybrid states in structures with 16-nm-thick multiple HgTe layers”, Semiconductors, 53:7 (2019), 930–935 |
|
2017 |
4. |
А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017), 554–558 ; A. N. Afanasiev, A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, “Impact ionization rate in direct gap semiconductors”, JETP Letters, 105:9 (2017), 586–590 |
5. |
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017), 419–426 ; A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Greshnov, “Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448 |
3
|
|
2014 |
6. |
А. А. Грешнов, “О роли двумерных фононов в возможности наблюдения квантового
эффекта Холла в графене при комнатной температуре”, Письма в ЖЭТФ, 100:8 (2014), 577–582 ; A. A. Greshnov, “On the role of two-dimensional phonons in the possibility of the observation of the quantum hall effect in graphene at room temperature”, JETP Letters, 100:8 (2014), 518–522 |
2
|
|
2013 |
7. |
А. А. Грешнов, Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, “Проявление полуметаллического состояния в циклотронном
резонансе низкосимметричных квантовых ям на основе HgTe”, Письма в ЖЭТФ, 97:2 (2013), 108–113 ; A. A. Greshnov, Yu. B. Vasil'ev, N. N. Mikhailov, G. Yu. Vasil'eva, D. Smirnov, “Manifestation of a semimetallic state in cyclotron resonance in low-symmetry HgTe-based quantum wells”, JETP Letters, 97:2 (2013), 102–106 |
6
|
|
2010 |
8. |
О. И. Утесов, Г. Г. Зегря, А. А. Грешнов, “Генерация чисто спиновых токов при фотоионизации квантовых ям”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010), 40–42 ; O. I. Utesov, G. G. Zegrya, A. A. Greshnov, “Pure spin currents generation under quantum wells photoionization”, JETP Letters, 92:1 (2010), 33–35 |
2
|
|
2002 |
9. |
А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, Ю. Б. Васильев, С. Д. Сучалкин, Б. Я. Мельцер, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Циклотронный резонанс в гетероструктуре InAs/GaSb в наклонном магнитном поле”, Письма в ЖЭТФ, 76:4 (2002), 258–262 ; A. A. Greshnov, G. G. Zegrya, Yu. B. Vasil'ev, S. D. Suchalkin, B. Ya. Mel'tser, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Cyclotron resonance in the InAs/GaSb heterostructure in an inclined magnetic field”, JETP Letters, 76:4 (2002), 222–226 |
2
|
|