Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 7, страницы 566–577
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51019.9640
(Mi phts5011)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле

А. Н. Афанасьев, П. С. Алексеев, А. А. Грешнов, М.А. Семина

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: В проводниках с очень малой плотностью дефектов электроны при низких температурах сталкиваются преимущественного с краями образца, поэтому перенос заряда и тепла осуществляется баллистически. Приложение перпендикулярного магнитного поля существенно меняет характер баллистического транспорта. Для случая двумерных (2D) электронов при магнитных полях таких, что диаметр циклотронных траекторий становится меньше ширины образца, происходит формирование гидродинамического режима транспорта. В таком режиме течение в основном контролируется редкими межэлектронными столкновениями, определяющими эффект вязкости. В настоящей работе мы изучаем баллистическое течение 2D электронов в длинных образцах в магнитных полях вплоть до критического поля перехода в гидродинамический режим. Из решения кинетического уравнения мы получаем аналитические выражения для профилей плотности тока и холловского электрического поля при магнитных полях вдали и вблизи от баллистическо-гидродинамического перехода, а также для продольного и холловского сопротивлений в этих диапазонах. Наши теоретические результаты, по-видимому, описывают наблюдавшееся продольное сопротивление чистых графеновых образцов в диапазоне магнитных полей ниже баллистическо-гидродинамического перехода.
Ключевые слова: двумерные электроны, высокая подвижность, баллистический режим транспорта, магнетосопротивление, эффект Холла.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00999
Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект № 19-02-00999).
Поступила в редакцию: 26.02.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 6, Pages 562–573
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621070022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Афанасьев, П. С. Алексеев, А. А. Грешнов, М.А. Семина, “Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 566–577; Semiconductors, 55:6 (2021), 562–573
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfaAleGre21}
\by А.~Н.~Афанасьев, П.~С.~Алексеев, А.~А.~Грешнов, М.А.~Семина
\paper Баллистическое течение двумерных электронов в магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 7
\pages 566--577
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5011}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51019.9640}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46488610}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 6
\pages 562--573
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621070022}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5011
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i7/p566
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:63
    PDF полного текста:46
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024