|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Углеродные системы
Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$
Г. Ю. Васильеваa, Д. Смирновb, Ю. Б. Васильевa, А. А. Грешновa, R. J. Haugb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut fur Festkorperphysik, Leibniz Universitat Hannover, Hannover, Germany
Аннотация:
Экспериментально изучена проводимость лент монослойного и двухслойного графена шириной 0.5–4 мкм, изготовленных методом плазменного травления в кислороде. Обнаружена зависимость концентрации электронов в графене от ширины ленты. Этот эффект объясняется краевым легированием графена за счет дефектов, расположенных в SiO$_{2}$ вблизи краев ленты. Предложен способ формирования резких $p$–$n$-переходов в графене и структур с постоянным градиентом концентрации электронов в плоскости графена с помощью краевого легирования.
Ключевые слова:
графен, краевое легирование, подложка, дефекты, плазменное травление.
Поступила в редакцию: 29.04.2019 Исправленный вариант: 06.05.2019 Принята в печать: 06.05.2019
Образец цитирования:
Г. Ю. Васильева, Д. Смирнов, Ю. Б. Васильев, А. А. Грешнов, R. J. Haug, “Краевое легирование в графеновых приборах на подложках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1681–1685; Semiconductors, 53:12 (2019), 1672–1676
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5335 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1681
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 11 |
|