|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Твердотельная электроника
Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально исследована фотолюминесценция эпитаксиальных структур на основе узкозонных твердых растворов CdHgTe и установлено наличие в структурах масштабных флуктуаций состава, локализующих носители заряда. Предложена модель, описывающая влияние флуктуаций на скорость излучательной рекомбинации, форму спектров люминесценции и положение их пика. Модель описывает транспорт и рекомбинацию носителей в условиях сильной неоднородности состава твердого раствора и показывает, как локализация носителей проявляется в особенностях спектров люминесценции.
Поступила в редакцию: 05.04.2016
Образец цитирования:
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017), 419–426; Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6292 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v87/i3/p419
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 9 |
|