|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. Г. Журавлев, В. С. Хорошилов, В. Л. Альперович, “Эмиссия электронов из Cs/GaAs и GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 105:10 (2017), 645–650   ; A. G. Zhuravlev, V. S. Khoroshilov, V. L. Alperovich, “Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs,О) with positive and negative electron affinity”, JETP Letters, 105:10 (2017), 686–690   |
13
|
|
2013 |
| 2. |
А. Г. Журавлев, М. Л. Савченко, А. Г. Паулиш, В. Л. Альперович, “Фотоэмиссия из $p$-GaAs(001) с неравновесными слоями цезия”, Письма в ЖЭТФ, 98:8 (2013), 513–517 ; A. G. Zhuravlev, M. L. Savchenko, A. G. Paulish, V. L. Alperovich, “Photoemission from $p$-GaAs(001) with nonequilibrium cesium overlayer”, JETP Letters, 98:8 (2013), 455–459 |
10
|
|
2010 |
| 3. |
А. Г. Журавлев, К. В. Торопецкий, П. А. Половодов, В. Л. Альперович, “Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 351–356 ; A. G. Zhuravlev, K. V. Toropetskiy, P. A. Polovodov, V. L. Alperovich, “Atomic reconstructions and electronic states on the GaAs(001) surface with the adsorbed Sb and Cs layers”, JETP Letters, 92:5 (2010), 315–320 |
1
|
|
2008 |
| 4. |
А. Г. Журавлев, В. Л. Альперович, “Генерация и удаление адатом-индуцированных электронных состояний на поверхности Cs/GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 702–706 ; A. G. Zhuravlev, V. L. Alperovich, “Generation and removal of adatom-induced electronic states on the Cs/GaAs(001) surface”, JETP Letters, 88:9 (2009), 611–615 |
5
|
|
Обратная связь: