|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, Н. А. Абдуллаев, В. Н. Зверев, З. А. Джахангирли, И. Ю. Скляднева, М. М. Отроков, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 361–366  ; A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, Z. S. Aliev, I. R. Amireslanov, N. A. Abdullaev, V. N. Zverev, Z. A. Jahangirli, I. Yu. Sklyadneva, M. M. Otrokov, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “Temperature studies of raman spectra in MnBi$_2$Te$_4$ and MnSb$_2$Te$_4$ magnetic topological insulators”, JETP Letters, 118:5 (2023), 357–362 |
|
2022 |
| 2. |
А. А. Максимов, Е. В. Филатов, И. И. Тартаковский, “Температурная зависимость циркулярно поляризованного излучения инжекционного полупроводникового лазера”, Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022), 500–505 ; A. A. Maksimov, E. V. Filatov, I. I. Tartakovskii, “Temperature dependence of circularly polarized radiation of an injection semiconductor laser”, JETP Letters, 116:8 (2022), 500–504 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
А. А. Максимов, Е. В. Филатов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Прямые измерения пикосекундной кинетики нагрева спиновой подсистемы в полумагнитных полупроводниковых наноструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 110:12 (2019), 806–811  ; A. A. Maksimov, E. V. Filatov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Direct measurements of the picosecond kinetics of heating of a spin subsystem in semimagnetic semiconducting nanostructures”, JETP Letters, 110:12 (2019), 799–803   |
|
2017 |
| 4. |
А. А. Максимов, А. Б. Пещеренко, Е. В. Филатов, И. И. Тартаковский, В. Д. Кулаковский, С. Г. Тиходеев, С. В. Лобанов, Х. Шнайдер, С. Хёфлинг, “Поляризационные и спектрально-пространственные свойства излучения в хиральных полупроводниковых наноструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 106:10 (2017), 615–620 ; A. A. Maksimov, A. B. Peshcherenko, E. V. Filatov, I. I. Tartakovskii, V. D. Kulakovskii, S. G. Tikhodeev, S. V. Lobanov, C. Schneider, S. Höfling, “Polarization, spectral, and spatial emission characteristics of chiral semiconductor nanostructures”, JETP Letters, 106:10 (2017), 643–647 |
7
|
|
2016 |
| 5. |
Н. Е. Случанко, А. Н. Азаревич, М. А. Анисимов, А. В. Богач, С. Ю. Гаврилкин, В. В. Глушков, С. В. Демишев, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Е. В. Филатов, В. Б. Филиппов, А. Б. Лященко, “Комбинационное рассеяние света в каркасном стекле ZrB$_{12}$”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 767–772 ; N. E. Sluchanko, A. N. Azarevich, M. A. Anisimov, A. V. Bogach, S. Yu. Gavrilkin, V. V. Glushkov, S. V. Demishev, A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, E. V. Filatov, V. B. Filippov, A. B. Lyashchenko, “Raman scattering in ZrB$_{12}$ cage glass”, JETP Letters, 103:11 (2016), 674–679 |
6
|
|
2011 |
| 6. |
Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации
фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 94:12 (2011), 939–944 ; E. V. Filatov, A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Effect of the external electric field on the kinetics of recombination of photoexcited carriers in a ZnSe/BeTe type II heterostructure”, JETP Letters, 94:12 (2011), 858–862 |
2
|
|
2008 |
| 7. |
А. А. Максимов, С. В. Зайцев, Е. В. Филатов, А. В. Ларионов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Формирование метастабильных надбарьерных дырочных состояний в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe при высокой плотности оптического возбуждения”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 587–591 ; A. A. Maksimov, S. V. Zaitsev, E. V. Filatov, A. V. Larionov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, A. Waag, “Formation of metastable above-barrier hole states in ZnSe/BeTe type II heterostructures under high-density optical excitation”, JETP Letters, 88:8 (2008), 511–514 |
6
|
|
2006 |
| 8. |
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, М. Байер, А. Вааг, “Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 173–177 ; A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, D. R. Yakovlev, M. Bayer, A. Waag, “Picosecond carrier relaxation in type-II ZnSe/BeTe heterostructures”, JETP Letters, 83:4 (2006), 141–145 |
17
|
|
Обратная связь: