Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 12, страницы 939–944 (Mi jetpl2406)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe

Е. В. Филатовa, А. А. Максимовa, И. И. Тартаковскийa, Д. Р. Яковлевbc, А. Ваагd

a Институт физики твердого тела РАН
b Experimentelle Physik II, Universität Dortmund
c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
d Technische Universität Braunschweig, Institute of Semiconductor Technology
PDF полного текста (245 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследована кинетика излучательной рекомбинации фотовозбужденных электронов и дырок для пространственно прямого перехода в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe при приложении внешнего электрического поля. Обнаружены значительное (в сотни раз) уменьшение интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) и уменьшение длительности свечения прямого перехода при приложении электрического поля. Проведены численные расчеты уровней энергии и волновых функций электронов и дырок при приложении электрического поля к гетероструктуре ZnSe/BeTe. Показано, что наблюдаемое уменьшение интенсивности ФЛ и длительности свечения прямого перехода связано как с возрастанием времени излучательной рекомбинации, так и с увеличением скорости ухода фотовозбужденных дырок с надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe.
Поступила в редакцию: 23.11.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 12, Pages 858–862
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011240040
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Филатов, А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, А. Вааг, “Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 94:12 (2011), 939–944; JETP Letters, 94:12 (2011), 858–862
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilMakTar11}
\by Е.~В.~Филатов, А.~А.~Максимов, И.~И.~Тартаковский, Д.~Р.~Яковлев, А.~Вааг
\paper Влияние внешнего электрического поля на кинетику рекомбинации
фотовозбужденных носителей в гетероструктуре 2-го типа ZnSe/BeTe
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 12
\pages 939--944
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2406}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17112414}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 12
\pages 858--862
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011240040}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000301572100007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=18035422}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84857348849}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2406
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i12/p939
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:260
    PDF полного текста:53
    Список литературы:25
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024