Температурная зависимость циркулярно поляризованного излучения инжекционного полупроводникового лазера

Исследована температурная зависимость стимулированного лазерного излучения с высокой степенью циркулярной поляризации в хиральных полупроводниковых наноструктурах в температурном диапазоне от гелиевых температур вплоть до $\sim 140$ K. Исследования проводились на полупроводниковых лазерных структурах с электрической накачкой на основе планарных микрорезонаторов с GaAs квантовыми ямами внутри и с периодической квадратной решеткой фотонного кристалла хиральной симметрии, сформированного в результате частичного травления на верхнем брэгговском зеркале. При максимальных значениях импульсного тока, текущего через образец, наблюдалась развитая многомодовая лазерная генерация в виде спектрально очень узких полос с высокой степенью величины циркулярной поляризации излучения ${>}\,70$ % вплоть до температур ${\sim}\,90$ K.