Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2006, том 83, выпуск 4, страницы 173–177 (Mi jetpl1246)  
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe

А. А. Максимовa, И. И. Тартаковскийa, Д. Р. Яковлевb, М. Байерb, А. Ваагc

a Институт физики твердого тела РАН
b Experimentelle Physik II, University of Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
c Institute of Semiconductor Technology, Braunschweig Technical University, D-38106 Braunschweig, Germany
PDF полного текста (733 kB) Список цитирования (17)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: На основании исследования быстрой кинетики люминесценции с высоким временным разрешением изучена релаксация фотовозбужденных носителей в процессе формирования пространственно разделенных слоев электронов и дырок в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe. Измерены времена ухода дырок $\tau$ из слоя ZnSe в структурах с различной толщиной слоя ZnSe ($\tau=2.5$, 7.5 и 23 пс для толщин $d=10$, 15 и 20 нм, соответственно). Показано, что увеличение времени $\tau$ может быть объяснено уменьшением скорости ухода фотовозбужденных дырок из нижнего надбарьерного уровня в слое ZnSe в слой BeTe с ростом толщины слоя ZnSe.
Поступила в редакцию: 27.12.2005
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2006, Volume 83, Issue 4, Pages 141–145
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364006040035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.21.-b, 78.66.Hf, 78.67.De
Образец цитирования: А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, Д. Р. Яковлев, М. Байер, А. Вааг, “Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 173–177; JETP Letters, 83:4 (2006), 141–145
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MakTarYak06}
\by А.~А.~Максимов, И.~И.~Тартаковский, Д.~Р.~Яковлев, М.~Байер, А.~Вааг
\paper Пикосекундная релаксация носителей в гетероструктурах 2-го типа ZnSe/BeTe
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 173--177
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1246}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2006
\vol 83
\issue 4
\pages 141--145
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364006040035}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000238680300003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33646196847}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1246
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v83/i4/p173
    • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:450
    PDF полного текста:113
    Список литературы:84
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024