|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, Н. В. Зенченко, “Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 586–590   ; S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, N. V. Zenchenko, “X-ray diffraction analysis of features of the crystal structure of GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N HEMT-heterostructures by the Williamson–Hall method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 734–738 |
3
|
|
2017 |
| 2. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, П. П. Мальцев, М. М. Грехов, И. Е. Иляков, Б. В. Шишкин, Р. А. Ахмеджанов, “Генерация терагерцового излучения при облучении фемтосекундными лазерными импульсами In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, выращенного на подложке GaAs с метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 535–539 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, P. P. Maltsev, M. M. Grekhov, I. E. Ilyakov, B. V. Shishkin, R. A. Akhmedzhanov, “Terahertz radiation in In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As, grown on a GaAs wafer with a metamorphic buffer layer under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 51:4 (2017), 509–513 |
15
|
| 3. |
Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330 ; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 |
14
|
|
2016 |
| 4. |
И. С. Васильевский, С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, А. Н. Виниченко, Д. В. Лаврухин, О. С. Коленцова, “Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573 ; I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 |
8
|
| 5. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 |
8
|
|
Обратная связь: