|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
С. В. Ситников, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “Влияние электромиграции на зарождение вакансионных островков на поверхности Si(100) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 805–809   ; S. V. Sitnikov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Electromigration effect on vacancy islands nucleation on Si(100) surface during sublimation”, Semiconductors, 53:6 (2019), 795–799 |
| 2. |
А. С. Петров, С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Эволюция микролунок на широких террасах поверхности Si(111) в процессе высокотемпературного отжига”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 456–461 ; A. S. Petrov, S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Micro-pits evolution on large terraces of Si(111) surface during high-temperature annealing”, Semiconductors, 53:4 (2019), 434–438 |
4
|
|
2017 |
| 3. |
С. В. Ситников, С. С. Косолобов, А. В. Латышев, “Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 212–215 ; S. V. Sitnikov, S. S. Kosolobov, A. V. Latyshev, “Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth”, Semiconductors, 51:2 (2017), 203–206 |
3
|
|
2016 |
| 4. |
С. В. Ситников, А. В. Латышев, С. С. Косолобов, “Атомные ступени на ультраплоской поверхности Si(111) при сублимации”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 607–611 ; S. V. Sitnikov, A. V. Latyshev, S. S. Kosolobov, “Atomic steps on an ultraflat Si(111) surface upon sublimation”, Semiconductors, 50:5 (2016), 596–600 |
1
|
|
Обратная связь: