|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. А. Карандашев, Т. С. Лухмырина, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, А. А. Усикова, “Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021), 1193–1197   ; S. A. Karandashov, T. S. Lukhmyrina, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, A. A. Usikova, “On the use of indium arsenide as the waveguide material in the measurements by attenuated total reflectance”, Optics and Spectroscopy, 129:11 (2021), 1231–1235 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, “Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 147–157 ; S. A. Karandashov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, “Indium arsenide-based spontaneous emission sources (review: a decade later)”, Semiconductors, 53:2 (2019), 139–149 |
15
|
|
2018 |
| 3. |
С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов, А. А. Капралов, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Г. Ю. Сотникова, “Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени”, ЖТФ, 88:9 (2018), 1433–1438 ; S. E. Alexandrov, G. A. Gavrilov, A. A. Kapralov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, G. Yu. Sotnikova, “InAsSb diode optical pairs for real-time carbon dioxide sensors”, Tech. Phys., 63:9 (2018), 1390–1395 |
3
|
| 4. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m”, ЖТФ, 88:2 (2018), 234–237 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “InAsSbP photodiodes for 2.6–2.8-$\mu$m wavelengths”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 226–229 |
7
|
|
2017 |
| 5. |
А. Л. Закгейм, Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, А. Е. Черняков, “Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 269–275 ; A. L. Zakhgeim, N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, A. E. Chernyakov, “Spatial redistribution of radiation in flip-chip photodiodes based on InAsSbP/InAs double heterostructures”, Semiconductors, 51:2 (2017), 260–266 |
13
|
|
2016 |
| 6. |
Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова, “Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 657–662 ; N. D. Il'inskaya, S. A. Karandashov, N. G. Karpukhina, A. A. Lavrov, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus, A. A. Usikova, “Photodiode 1 $\times$ 64 linear array based on a double $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs heterostructure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 646–651 |
3
|
|
Обратная связь: