|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1115–1117   ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. A. Tursunov, Y. S. Ergashov, G. Kh. Allayarova, “Escape depth of secondary and photoelectrons from CdTe films with a Ba film”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1051–1054 |
9
|
|
2018 |
| 2. |
Ё. С. Эргашов, Б. Е. Умирзаков, “Структура и свойства двухслойной наноразмерной системы CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si, полученной ионной имплантацией”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1859–1862 ; Y. S. Ergashov, B. E. Umirzakov, “Structure and properties of a bilayer nanodimensional CoSi$_{2}$/Si/CoSi$_{2}$/Si system obtained by ion implantation”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1820–1823 |
11
|
|
2017 |
| 3. |
Ё. С. Эргашов, “Состав и свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CoSi$_{2}$/Si(111) бомбардировкой ионами Ar$^{+}$”, ЖТФ, 87:5 (2017), 758–761 ; Y. S. Ergashov, “Composition and properties of nanoscale Si structures formed on the CoSi$_{2}$/Si(111) surface by Ar$^+$ ion bombardment”, Tech. Phys., 62:5 (2017), 777–780 |
12
|
|
2016 |
| 4. |
Ё. С. Эргашов, З. А. Исаханов, Б. Е. Умирзаков, “Прохождение электромагнитных излучений через тонкие пленки Cu”, ЖТФ, 86:6 (2016), 156–158 ; Y. S. Ergashov, Z. A. Isakhanov, B. E. Umirzakov, “Transmission of electromagnetic waves through thin Cu films”, Tech. Phys., 61:6 (2016), 953–955 |
7
|
|
Обратная связь: