|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Механизмы токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной методом окрашивающего травления”, ЖТФ, 89:5 (2019), 737–743   ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Current transmission mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric transducer with an $n^{+}$–$p$ junction and an antireflection porous silicon film formed by color etching”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 686–692 |
| 2. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в фотоэлектрическом преобразователе с антиотражающей пленкой пористого кремния, сформированной окрашивающим химическим травлением”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 24–27 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Deep-level defects in a photovoltaic converter with an antireflection porous silicon film formed by chemical stain etching”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 145–148 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
В. В. Трегулов, “Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе $p$–$n$-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния”, ЖТФ, 88:12 (2018), 1863–1867 ; V. V. Tregulov, “Features of the frequency dependence of capacitance–voltage characteristics of a semiconductor structure of a photoelectric converter based on a $p$–$n$ junction with an antireflective film of porous silicon”, Tech. Phys., 63:12 (2018), 1824–1828 |
| 4. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 751–756 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Study of current flow mechanisms in a CdS/$por$-Si/$p$-Si heterostructure”, Semiconductors, 52:7 (2018), 891–896 |
|
2017 |
| 5. |
В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Дефекты с глубокими уровнями в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии с антиотражающей пленкой пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 3–9 ; V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Defects with deep levels in a semiconductor structure of a photoelectric converter of solar energy with an antireflection film of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 955–957 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
В. В. Трегулов, В. А. Степанов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Особенности механизмов токопрохождения в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя с $n^{+}$–$p$-переходом и антиотражающей пленкой пористого кремния”, ЖТФ, 86:11 (2016), 91–94 ; V. V. Tregulov, V. A. Stepanov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “Specific features of current flow mechanisms in the semiconductor structure of a photoelectric converter with an $n^{+}$–$p$-junction and an antireflective porous silicon film”, Tech. Phys., 61:11 (2016), 1694–1697 |
4
|
| 7. |
О. С. Таларико, В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Исследование механизмов токопрохождения в тонких пластинах рубрена, изготовленных газотранспортным методом”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016), 16–22 ; O. S. Talarico, V. V. Tregulov, V. G. Litvinov, A. V. Ermachikhin, “An investigation of current-flow mechanisms in thin rubrene wafers prepared by the vapor transport method”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1107–1109 |
|
2012 |
| 8. |
В. В. Трегулов, “Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdA/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012, № 3, 124–132 |
|
2011 |
| 9. |
В. В. Трегулов, В. А. Степанов, “Исследование поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной энергии на основе гетероструктуры CdS/Si(p)”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2011, № 3, 140–150 |
|
Обратная связь: