|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. О. Петрушков, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, М. Ю. Есин, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1289–1295   ; M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, M. A. Putyato, A. V. Vasev, I. D. Loshkarev, M. Yu. Yesin, O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. V. Preobrazhenskii, “Effect of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during MBE heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1548–1554 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, М. А. Путято, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, “Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 512–519 ; E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, M. Yu. Yesin, I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, M. A. Putyato, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, “The growth of InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ solid solutions on miscuted GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy method”, Semiconductors, 53:4 (2019), 503–510 |
2
|
|
2018 |
| 3. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
| 4. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 5. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
Обратная связь: