Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Елистратова Марина Анатольевна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 7
Научных статей: 7

Статистика просмотров:
Эта страница:106
Страницы публикаций:303
Полные тексты:136

https://www.mathnet.ru/rus/person186740
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116  mathnet  elib; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 1
2019
2. М. А. Елистратова, И. Б. Захарова, Г. В. Ли, Р. М. Дубровин, О. М. Сресели, “Влияние условий кристаллизации на спектральные характеристики тонких пленок тетрафенилпорфирина”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  55–58  mathnet  elib; M. A. Elistratova, I. B. Zakharova, G. V. Li, R. M. Dubrovin, O. M. Sreseli, “The effect of crystallization conditions on the spectral characteristics of tetraphenylporphyrin thin films”, Semiconductors, 53:1 (2019), 51–54 5
2018
3. И. Б. Захарова, М. А. Елистратова, Н. М. Романов, О. Е. Квятковский, “Особенности электронной структуры агрегированных форм ZnTPP по данным оптических измерений и квантово-химических расчетов”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1601–1607  mathnet  elib; I. B. Zakharova, M. A. Elistratova, N. M. Romanov, O. E. Kvyatkovskii, “Specific features of the electron structure of ZnTPP aggregated forms: data of optical measurements and quantum-chemical calculations”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1708–1714 6
4. Н. М. Романов, М. А. Елистратова, E. Lahderanta, И. Б. Захарова, “Деградация фотолюминесценции тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-C$_{60}$ под действием гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  931–938  mathnet  elib; N. M. Romanov, M. A. Elistratova, E. Lahderanta, I. B. Zakharova, “Degradation of the photoluminescence of ZnTPP and ZnTPP-C$_{60}$ thin films under gamma irradiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1061–1067
5. М. А. Елистратова, Д. С. Полоскин, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Динамика изменения фотолюминесценции пористого кремния после гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  921–925  mathnet  elib; M. A. Elistratova, D. S. Poloskin, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Dynamics of changes in the photoluminescence of porous silicon after gamma irradiation”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1051–1055 1
2017
6. М. А. Елистратова, Н. М. Романов, Д. Н. Горячев, И. Б. Захарова, О. М. Сресели, “Влияние гамма-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  507–511  mathnet  elib; M. A. Elistratova, N. M. Romanov, D. N. Goryachev, I. B. Zakharova, O. M. Sreseli, “Effect of gamma irradiation on the photoluminescence of porous silicon”, Semiconductors, 51:4 (2017), 483–487 7
2016
7. М. А. Елистратова, И. Б. Захарова, Н. М. Романов, В. Ю. Паневин, О. Е. Квятковский, “Спектральная зависимость фотолюминесценции тонких пленок молекулярных комплексов ZnTPP-C$_{60}$ и CuTPP-C$_{60}$”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1213–1219  mathnet  elib; M. A. Elistratova, I. B. Zakharova, N. M. Romanov, V. Yu. Panevin, O. E. Kvyatkovskii, “Photoluminescence spectra of thin films of ZnTPP-C$_{60}$ and CuTPP-C$_{60}$ molecular complexes”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1191–1197 8

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024