|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Л. М. Порцель, В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, А. Н. Лодыгин, Н. В. Абросимов, Ю. А. Астров, “Исследование примеси магния в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 321–326   ; L. M. Portsel', V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, A. N. Lodygin, N. V. Abrosimov, Yu. A. Astrov, “Investigation of the magnesium impurity in silicon”, Semiconductors, 54:4 (2020), 393–398 |
7
|
|
2017 |
| 2. |
В. Б. Шуман, А. А. Лаврентьев, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Диффузия межузельного магния в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 5–7 ; V. B. Shuman, A. A. Lavrent'ev, Yu. A. Astrov, A. N. Lodygin, L. M. Portsel', “Diffusion of interstitial magnesium in dislocation-free silicon”, Semiconductors, 51:1 (2017), 1–3 |
13
|
|
2016 |
| 3. |
М. Г. Мынбаева, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, “Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 138–142 ; M. G. Mynbaeva, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, “Formation of graphite/SiC structures by the thermal decomposition of silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 138–142 |
7
|
|
Обратная связь: