Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 138–142 (Mi phts6575)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния

М. Г. Мынбаеваab, А. А. Лаврентьевa, К. Д. Мынбаевba

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (759 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Изучены условия синтеза углеродных покрытий на поверхности пластин карбида кремния (SiC), получаемых методом термического разложения. Исследовано влияние температуры и состава атмосферы отжига образцов на характер структурных свойств получаемых слоев. В результате определены условия, при которых могут быть получены сплошные пленки графита как с поликристаллической, так и с монокристаллической структурой.
Поступила в редакцию: 06.05.2015
Принята в печать: 18.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 138–142
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Г. Мынбаева, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, “Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 138–142; Semiconductors, 50:1 (2016), 138–142
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MynLavMyn16}
\by М.~Г.~Мынбаева, А.~А.~Лаврентьев, К.~Д.~Мынбаев
\paper Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 138--142
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6575}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668062}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 138--142
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6575
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p138
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:80
    PDF полного текста:41
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024