|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, С. Т. Гулямова, Г. Х. Аллаярова, “Влияние имплантации ионов Ba$^{+}$ на состав и электронные свойства пленок MoO$_{3}$/Mo (111)”, ЖТФ, 90:5 (2020), 831–834   ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, S. T. Gulyamova, G. Kh. Allayarova, “Effect of the Ba$^+$ ion implantation on the composition and electronic properties of MoO$_{3}$/Mo (111) films”, Tech. Phys., 65:5 (2020), 795–798 |
6
|
| 2. |
Д. А. Ташмухамедова, М. Б. Юсупжанова, Г. Х. Аллаярова, Б. Е. Умирзаков, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 32–34 ; D. A. Tashmukhamedova, M. B. Yusupjanova, G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, “Crystal structure and band gap of nanoscale phases of Si formed at various depths of the near-surface region of SiO$_{2}$”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 972–975 |
4
|
|
2019 |
| 3. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. А. Турсунов, Ё. С. Эргашов, Г. Х. Аллаярова, “Глубина выхода вторичных и фотоэлектронов из пленок CdTe с пленкой Ba”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1115–1117 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. A. Tursunov, Y. S. Ergashov, G. Kh. Allayarova, “Escape depth of secondary and photoelectrons from CdTe films with a Ba film”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1051–1054 |
9
|
| 4. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Г. Х. Аллаярова, Ж. Ш. Содикжанов, “Влияние образования силицидов на удельное сопротивление кремния”, Письма в ЖТФ, 45:7 (2019), 49–51 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, G. Kh. Allayarova, J. Sh. Sodikjanov, “The effect of the formation of silicides on the resistivity of silicon”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 356–358 |
5
|
|
Обратная связь: