|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Mikhail A. Lobaev, Anatoly L. Vikharev, Aleksey M. Gorbachev, Dmitry B. Radishev, Ekaterina A. Arkhipova, Mikhail N. Drozdov, Vladimir A. Isaev, Sergey A. Bogdanov, Vladimir A. Kukushkin, “Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:5 (2022), 578–584   |
|
2020 |
| 2. |
А. М. Горбачев, М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, С. В. Большедворский, А. И. Зеленеев, В. В. Сошенко, А. В. Акимов, М. Н. Дроздов, В. А. Исаев, “Формирование многослойных наноструктур NV-центров в монокристаллическом CVD-алмазе”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 19–23 ; A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, S. V. Bolshedvorskii, A. I. Zeleneev, V. V. Soshenko, A. V. Akimov, M. N. Drozdov, V. A. Isaev, “Formation of multilayered nanostructures of NV sites in single-crystal CVD diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 641–645 |
1
|
| 3. |
М. Н. Дроздов, Е. А. Архипова, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, А. Е. Парафин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Использование импульсного лазерного отжига для формирования омических контактов Mo/Ti к алмазу”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 34–38 ; M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
М. Н. Дроздов, Е. В. Демидов, Ю. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, Е. А. Архипова, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Исследование формирования омических контактов Au/Mo/Ti с пониженным сопротивлением к эпитаксиальным слоям алмаза $p$-типа”, ЖТФ, 89:12 (2019), 1923–1932 ; M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 |
5
|
| 5. |
Е. А. Архипова, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, Д. Б. Радищев, В. А. Исаев, С. А. Богданов, “Омические контакты к эпитаксиальным структурам CVD-алмаза с дельта-слоями бора”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1386–1390 ; E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 |
1
|
|
2017 |
| 6. |
E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1151 ; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106 |
|
2016 |
| 7. |
П. А. Юнин, Ю. Н. Дроздов, В. В. Чернов, В. А. Исаев, С. А. Богданов, А. Б. Мучников, “Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1647–1651 ; P. A. Yunin, Yu. N. Drozdov, V. V. Chernov, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, A. B. Muchnikov, “Formation of singular (001) terraces on the surface of single-crystal HPHT diamond substrates”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1622–1625 |
3
|
| 8. |
Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1595–1598 ; E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 |
2
|
|
Обратная связь: