|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет доз аморфизации кремния при облучении легкими ионами средних энергий”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 771–777   ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculating silicon-amorphization doses under medium-energy light-ion irradiation”, Semiconductors, 54:8 (2020), 916–922 |
3
|
| 2. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Влияние кислородных вакансий на формирование и структуру филамента в мемристорах на основе диоксида кремния”, Письма в ЖТФ, 46:1 (2020), 24–27 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Impact of oxygen vacancies on the formation and structure of filaments in SiO$_2$-based memristors”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 19–22 |
9
|
|
2019 |
| 3. |
Е. В. Окулич, М. Н. Коряжкина, Д. С. Королев, А. И. Белов, М. Е. Шенина, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, И. Н. Антонов, Ю. А. Дудин, “Влияние облучения ионами Si$^{+}$ на резистивное переключение мемристивных структур на основе стабилизированного диоксида циркония”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 3–6 ; E. V. Okulich, M. N. Koryazhkina, D. S. Korolev, A. I. Belov, M. E. Shenina, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, I. N. Antonov, Yu. A. Dudin, “The effect of irradiation with Si$^{+}$ ions on the resistive switching of memristive structures based on yttria stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 690–693 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
Е. В. Окулич, В. И. Окулич, Д. И. Тетельбаум, “Расчет влияния плотности ионного тока и температуры на кинетику накопления точечных дефектов при облучении кремния легкими ионами”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 967–972 ; E. V. Okulich, V. I. Okulich, D. I. Tetelbaum, “Calculation of the influence of the ion current density and temperature on the accumulation kinetics of point defects under the irradiation of Si with light ions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1091–1096 |
2
|
|
2016 |
| 5. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
Обратная связь: