|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Э. Aтамуратов, Б. О. Жаббарова, М. M. Халиллоев, A. Юсупов, “Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур “кремний на изоляторе” с различной формой базы”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 26–29   ; A. E. Atamuratov, B. O. Jabbarova, M. M. Khalilloev, A. Yusupov, “The self-heating effect in junctionless fin field-effect transistors based on silicon-on-insulator structures with different channel shapes”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 542–545 |
1
|
|
2019 |
| 2. |
З. А. Атамуратова, A. Юсупов, Б. О. Халикбердиев, А. Э. Атамуратов, “Аномальное поведение боковой $C$–$V$-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1067–1070 ; Z. A. Atamuratova, A. Yusupov, B. O. Halikberdiev, A. E. Atamuratov, “Anomalous behavior of lateral $C$–$V$ characteristic of an MNOS transistor with an embedded local charge in the nitride layer”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1006–1009 |
3
|
|
2018 |
| 3. |
А. Е. Абдикаримов, A. Юсупов, А. Э. Атамуратов, “Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии “кремний на изоляторе””, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 22–29 ; A. E. Abdikarimov, A. Yusupov, A. E. Atamuratov, “The effect of the fin shape and thickness of the buried oxide on the DIBL effect in an SOI FinFET”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 962–964 |
4
|
|
2017 |
| 4. |
A. Юсупов, К. Адамбаев, З. З. Тураев, С. Р. Алиев, А. Кутлимратов, “Создание и электрические свойства гетеропереходов $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 98–103 ; A. Yusupov, K. Adambaev, Z. Z. Turaev, S. R. Aliev, A. Kutlimratov, “Creation and electrical properties of $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 133–135 |
1
|
|
Обратная связь: