Создание и электрические свойства гетеропереходов $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si

Впервые получены анизотипные гетеропереходы $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом.