|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Создание и электрические свойства гетеропереходов $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si
A. Юсуповa, К. Адамбаевa, З. З. Тураевb, С. Р. Алиевc, А. Кутлимратовd a Ташкентский автомобильно-дорожный институт, г. Ташкент
b Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека, г. Ташкент
c Андижанский государственный университет
d Физико-технический институт АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Впервые получены анизотипные гетеропереходы $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельно-рекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом.
Поступила в редакцию: 23.09.2016
Образец цитирования:
A. Юсупов, К. Адамбаев, З. З. Тураев, С. Р. Алиев, А. Кутлимратов, “Создание и электрические свойства гетеропереходов $p$-Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$/$n$-Si”, Письма в ЖТФ, 43:2 (2017), 98–103; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 133–135
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6023 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i2/p98
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 9 |
|