Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2021, том 47, выпуск 11, страницы 26–29
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.11.51003.18675 (Mi pjtf4772) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур “кремний на изоляторе” с различной формой базы

А. Э. Aтамуратовa, Б. О. Жаббароваa, М. M. Халиллоев, A. Юсуповb

a Ургенчский государственный университет им. Аль-Хорезми
b Ташкентский университет информационных технологий им. Мухаммада аль-Хорезми, Ташкент, Узбекистан
PDF полного текста (389 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.11.51003.18675
Аннотация: Моделируется эффект саморазогрева в наномасштабном беспереходном вертикальном полевом транзисторе, изготовленном на основе структур “кремний на изоляторе” с поперечным сечением базы транзистора в форме прямоугольника, трапеции и треугольника. Показано, что для рассматриваемых структур температура в середине транзистора ниже, чем по его боковым граням около истока и стока. Помимо этого при прочих одинаковых условиях температура решетки зависит также от формы поперечного сечения базы.
Ключевые слова: эффект саморазогрева, температура решетки, теплопроводность, беспереходный FinFET-транзистор.
Поступила в редакцию: 29.12.2020
Исправленный вариант: 08.03.2021
Принята в печать: 08.03.2021
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2021, Volume 47, Issue 7, Pages 542–545
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785021060055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Aтамуратов, Б. О. Жаббарова, М. M. Халиллоев, A. Юсупов, “Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур “кремний на изоляторе” с различной формой базы”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 26–29; Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 542–545
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AtaJabKha21}
\by А.~Э.~Aтамуратов, Б.~О.~Жаббарова, М.~M.~Халиллоев, A.~Юсупов
\paper Эффект саморазогрева в беспереходных вертикальных полевых транзисторах на основе структур ``кремний на изоляторе'' с различной формой базы
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2021
\vol 47
\issue 11
\pages 26--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf4772}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.11.51003.18675}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46321607}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2021
\vol 47
\issue 7
\pages 542--545
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785021060055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf4772
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v47/i11/p26
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024