|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Корякин, Ю. А. Еремеев, А. В. Осипов, С. А. Кукушкин, “Влияние пористости слоя кремния на упругие свойства гибридных подложек SiC/Si”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 25–28   ; A. A. Koryakin, Yu. A. Eremeev, A. V. Osipov, S. A. Kukushkin, “The influence of the porosity of silicon layer on the elastic properties of hybrid SiC/Si substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:2, 126–129 |
4
|
|
2019 |
| 2. |
А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2437–2441 |
3
|
| 3. |
А. А. Корякин, С. А. Кукушкин, Н. В. Сибирев, “Механизм роста пар–кристалл–кристалл Au-каталитических GaAs-нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 370–380 ; A. A. Koryakin, S. A. Kukushkin, N. V. Sibirev, “On the mechanism of the vapor–solid–solid growth of Au-catalyzed GaAs nanowires”, Semiconductors, 53:3 (2019), 350–360 |
12
|
| 4. |
Н. В. Сибирев, H. Huang, Е. В. Убыйвовк, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Ю. С. Бердников, X. Yan, А. А. Корякин, И. В. Штром, “Рост нанотрубок и нитевидных нанокристаллов GaN с катализатором Au–Ni”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 38–41 ; N. V. Sibirev, H. Huang, E. V. Ubyivovk, R. Lv, D. Zhao, Q. Guang, Yu. S. Berdnikov, X. Yan, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, “Growth of GaN nanotubes and nanowires on Au–Ni catalysts”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 159–162 |
1
|
|
2018 |
| 5. |
Н. В. Сибирев, К. П. Котляр, А. А. Корякин, И. В. Штром, Е. В. Убыйвовк, И. П. Сошников, Р. Р. Резник, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1464–1468 ; N. V. Sibirev, K. P. Kotlyar, A. A. Koryakin, I. V. Shtrom, E. V. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, R. R. Reznik, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Solar cell based on core/shell nanowires”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1568–1572 |
4
|
|
2016 |
| 6. |
Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1592–1594 ; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, V. G. Dubrovskii, “On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568 |
|
Обратная связь: