|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Ежевский, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, Н. С. Гусев, “Генерация спиновых токов в $n$-Si, легированном фосфором, сурьмой и висмутом и влияние на них процессов рассеяния спинов с переворотом”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 654–658   |
|
2020 |
| 2. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров лития в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1134–1138 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of lithium donors in bulk single-crystal isotopically pure $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1336–1340 |
1
|
| 3. |
А. А. Ежевский, П. Г. Сенников, Д. В. Гусейнов, А. В. Сухоруков, Е. А. Калинина, Н. В. Абросимов, “Поведение доноров фосфора в объемных монокристаллических моноизотопных сплавах $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 933–937 ; A. A. Ezhevskii, P. G. Sennikov, D. V. Guseinov, A. V. Soukhorukov, E. A. Kalinina, N. V. Abrosimov, “Behavior of phosphorus donors in bulk single-crystal monoisotopic $^{28}$Si$_{1-x}$ $^{72}$Ge$_{x}$ alloys”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1123–1126 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 505 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 590–592 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
|
Обратная связь: