|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617   ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
3
|
|
2019 |
| 2. |
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28 ; A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, D. A. Malevskii, V. R. Larionov, M. Z. Shvarts, “High-efficiency conversion of high-power-density laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26 |
14
|
|
2018 |
| 3. |
А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, “Влияние условий теплоотвода на характеристики концентраторных фотоэлектрических модулей”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 390–394 ; A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, A. N. Panchak, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, “Influence of heat dissipation conditions on the characteristics of concentrator photoelectric modules”, Semiconductors, 52:3 (2018), 371–375 |
3
|
| 4. |
В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 42–48 ; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 |
7
|
|
Обратная связь: