|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. М. Калыгина, А. В. Цымбалов, А. В. Алмаев, Ю. С. Петрова, “Влияние электродов на параметры солнечно-слепых детекторов УФ излучения”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 264–268   ; V. M. Kalygina, A. V. Tsymbalov, A. V. Almaev, Yu. S. Petrova, “Influence of electrode topology on the parameters of solar-blind UV detectors”, Semiconductors, 55:3 (2021), 341–345 |
2
|
|
2020 |
| 2. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, В. В. Копьев, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Влияние ультрафиолетового излучения и электрического поля на проводимость структур на основе $\alpha$- и $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1035–1040 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, V. V. Kopyev, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Effect of ultraviolet radiation and electric field on the conductivity of structures based on $\alpha$- and $\varepsilon$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1224–1229 |
2
|
| 3. |
В. М. Калыгина, А. В. Алмаев, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, “Солнечно-слепые детекторы УФ-излучения на основе пленок $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 575–579 ; V. M. Kalygina, A. V. Almaev, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, “Solar-blind UV detectors based on $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ films”, Semiconductors, 54:6 (2020), 682–686 |
17
|
| 4. |
В. М. Калыгина, В. И. Николаев, А. В. Алмаев, А. В. Цымбалов, Ю. С. Петрова, И. А. Печников, П. Н. Бутенко, “Свойства резистивных структур на основе полиморфных фаз оксида галлия”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020), 33–36 ; V. M. Kalygina, V. I. Nikolaev, A. V. Almaev, A. V. Tsymbalov, Yu. S. Petrova, I. A. Pechnikov, P. N. Butenko, “Properties of resistive structures based on gallium oxide polymorphic phases”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 867–870 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, Ю. С. Петрова, Е. В. Черников, “Влияние материала подложки на свойства пленок оксида галлия и структур на его основе”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 468–473 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, Yu. S. Petrova, E. V. Chernikov, “Influence of the substrate material on the properties of gallium-oxide films and gallium-oxide-based structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 452–457 |
2
|
| 6. |
В. М. Калыгина, Т. З. Лыгденова, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, А. В. Цымбалов, Т. М. Яскевич, “Структура и свойства пленок оксида галлия, полученных высокочастотным магнетронным напылением”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 411–417 ; V. M. Kalygina, T. Z. Lygdenova, V. А. Novikov, Yu. S. Petrova, A. V. Tsymbalov, T. M. Yaskevich, “Structure and properties of gallium-oxide films produced by high-frequency magnetron-assisted deposition”, Semiconductors, 53:3 (2019), 388–394 |
4
|
|
Обратная связь: