|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Д. А. Белорусов, Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Устойчивые к полевым повреждениям структуры кремний-сверхтонкий окисел (42 нм)-поликремний”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 24–27   ; D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 |
4
|
|
2020 |
| 2. |
Е. И. Гольдман, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Исследования электрофизических свойств сегнетоэлектрических пленок Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ в параэлектрическом состоянии”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1226–1231 ; E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Electrophysical properties investigation of Ba$_{0.8}$Sr$_{0.2}$TiO$_{3}$ ferroelectric films in paraelectric state”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1380–1385 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Е. И. Гольдман, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “О природе повышения подвижности электронов в канале инверсии у границы раздела кремний-окисел после полевого воздействия”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 89–92 ; E. I. Goldman, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “On the nature of the increase in the electron mobility in the inversion channel at the silicon–oxide interface after the field effect”, Semiconductors, 53:1 (2019), 85–88 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
М. С. Афанасьев, Д. А. Киселев, С. А. Левашов, В. А. Лузанов, А. Э. Набиев, В. Г. Нарышкина, А. А. Сивов, Г. В. Чучева, “Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 951–954 ; M. S. Afanasiev, D. A. Kiselev, S. A. Levashov, V. A. Luzanov, A. E. Nabiyev, V. G. Naryshkina, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the substrate material on the structure and electrophysical properties of Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$ thin films”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 954–957 |
3
|
|
2017 |
| 5. |
Е. И. Гольдман, С. А. Левашов, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева, “Генерация поверхностных электронных состояний на границе раздела кремний–сверхтонкий окисел в процессе полевого повреждения структур металл–окисел–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1185–1188 ; E. I. Goldman, S. A. Levashov, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Generation of surface electron states with a silicon–ultrathin-oxide interface under the field-induced damage of metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1136–1140 |
9
|
|
Обратная связь: