|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, “Пьезоэлектрические свойства пористого кремния”, Письма в ЖЭТФ, 114:10 (2021), 680–684  ; V. A. Morozov, A. G. Zegrya, G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, “Piezoelectric properties of porous silicon”, JETP Letters, 114:10 (2021), 625–629   |
1
|
| 2. |
Г. Г. Зегря, Е. В. Шашков, А. А. Карпова, Н. С. Воробьев, В. М. Фрейман, А. Г. Зегря, Ю. С. Соломонов, “Лазерный эффект при взрыве пористого кремния”, Письма в ЖЭТФ, 114:4 (2021), 263–268 ; G. G. Zegrya, E. V. Shashkov, A. A. Karpova, N. S. Vorobiev, V. M. Freiman, A. G. Zegrya, Yu. S. Solomonov, “Laser effect in the explosion of porous silicon”, JETP Letters, 114:4 (2021), 227–231 |
1
|
| 3. |
G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367 |
|
2020 |
| 4. |
Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, А. Г. Зегря, В. А. Брагин, И. А. Оськин, У. М. Побережная, “Лазерное инициирование энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1708–1714  ; G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, A. G. Zegrya, V. A. Bragin, I. A. Oskin, U. M. Poberezhnaya, “Laser initiation of energy-saturated composites based on nanoporous silicon”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1636–1642 |
4
|
|
2019 |
| 5. |
Г. Г. Зегря, В. П. Улин, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. М. Фрейман, Ю. М. Михайлов, “Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1575–1584 ; G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Freiman, Yu. M. Mikhailov, “Effect of conductivity type and doping level of silicon crystals on the size of formed pore channels during anodic etching in hydrofluoric acid solutions”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1492–1500 |
6
|
| 6. |
Г. Г. Савенков, А. Г. Зегря, Г. Г. Зегря, Б. В. Румянцев, А. Б. Синани, Ю. М. Михайлов, “Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты)”, ЖТФ, 89:3 (2019), 397–403 ; G. G. Savenkov, A. G. Zegrya, G. G. Zegrya, B. V. Rumyantsev, A. B. Sinani, Yu. M. Mikhailov, “The possibilities of energy-saturated nanoporous silicon-based composites (review and new results)”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 361–367 |
9
|
| 7. |
А. Г. Зегря, В. В. Соколов, Г. Г. Зегря, Ю. В. Ганин, Ю. М. Михайлов, “Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 3–6 ; A. G. Zegrya, V. V. Sokolov, G. G. Zegrya, Yu. V. Ganin, Yu. M. Mikhailov, “The effect of the doping level of starting silicon single crystals on structural parameters of porous silicon produced by electrochemical etching”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1067–1070 |
2
|
|
2018 |
| 8. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, А. Г. Зегря, В. Е. Бугров, “Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 207–220 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, A. G. Zegrya, V. E. Bugrov, “Intraband radiation absorption by holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP quantum wells”, Semiconductors, 52:2 (2018), 195–208 |
2
|
| 9. |
Д. М. Самосват, О. П. Чикалова-Лузина, В. С. Хромов, А. Г. Зегря, Г. Г. Зегря, “Механизм генерации синглетного кислорода в присутствии возбужденного нанопористого кремния”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 53–62 ; D. M. Samosvat, O. P. Chikalova-Luzina, V. S. Khromov, A. G. Zegrya, G. G. Zegrya, “The mechanism of generation of singlet oxygen in the presence of excited nanoporous silicon”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 479–482 |
4
|
|
2017 |
| 10. |
Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. П. Улин, А. А. Лукин, В. А. Брагин, И. А. Оськин, Ю. М. Михайлов, “Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 501–506 ; G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, V. A. Morozov, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. P. Ulin, A. A. Lukin, V. A. Bragin, I. A. Oskin, Yu. M. Mikhailov, “Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments”, Semiconductors, 51:4 (2017), 477–482 |
6
|
| 11. |
Г. Г. Савенков, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. Г. Зегря, И. А. Оськин, В. А. Брагин, Г. Г. Зегря, “Возбуждение взрывчатых превращений в энергонасыщенных соединениях на основе нанопористого кремния с помощью полупроводниковых быстродействующих ключей и энерговыделяющих элементов”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 57–63 ; G. G. Savenkov, A. F. Kardo-Sisoev, A. G. Zegrya, I. A. Oskin, V. A. Bragin, G. G. Zegrya, “Initiation of explosive conversions in energy-saturated nanoporous silicon-based compounds with fast semiconductor switches and energy-releasing elements”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 896–898 |
2
|
|
Обратная связь: