|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1072–1078   ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Capacitance spectroscopy of heteroepitaxial AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1260–1266 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
М. М. Соболев, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Влияние эффекта перколяции на температурные зависимости вольт-фарадных характеристик гетероструктур на основе композитных слоев наночастиц кремния и золота”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1431–1436 ; M. M. Sobolev, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Impact of percolation effect on temperature dependences of the capacitance-voltage characteristics of heterostructures based on composite layers of silicon and gold nanoparticles”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1393–1397 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, “Влияние глубоких уровней дислокаций в гетероэпитаксиальных InGaAs/GaAs и GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$-структурах на время релаксации неравновесных носителей”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 177–183 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, “Effect of dislocation-related deep levels in heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs $p$–$i$–$n$ structures on the relaxation time of nonequilibrium carriers”, Semiconductors, 52:2 (2018), 165–171 |
7
|
| 4. |
М. М. Соболев, О. С. Кен, О. М. Сресели, Д. А. Явсин, С. А. Гуревич, “Выявление пространственного и квантового ограничения Si-наночастиц, нанесенных методом лазерного электродиспергирования на кристаллический Si”, Письма в ЖТФ, 44:7 (2018), 30–38 ; M. M. Sobolev, O. S. Ken, O. M. Sreseli, D. A. Yavsin, S. A. Gurevich, “Spatial and quantum confinement of Si nanoparticles deposited by laser electrodispersion onto crystalline Si”, Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 287–290 |
7
|
|
2016 |
| 5. |
М. М. Соболев, Ф. Ю. Солдатенков, В. А. Козлов, “Исследования глубоких уровней GaAs $p$–$i$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 941–945 ; M. M. Sobolev, F. Yu. Soldatenkov, V. A. Kozlov, “Study of deep levels in GaAs $p$–$i$–$n$ structures”, Semiconductors, 50:7 (2016), 924–928 |
9
|
|
1984 |
| 6. |
М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 383–385 |
|
Обратная связь: