Емкостная спектроскопия гетероэпитакиальных AlGaAs/GaAs $p$–$i$–$n$-структур

Исследованы температурные зависимости вольт-фарадных характеристик и спектры глубоких уровней плавного высоковольтного Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As $p^{0}$–$i$–$n^{0}$-перехода, изготовленного методом жидкофазной эпитаксии за счет автолегирования фоновыми примесями. Обнаруженные изменения вольт-фарадных характеристик в зависимости от температуры измерения и оптической подсветки продемонстрировали, что в исследуемых Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As слоях $p^{0}$-, $i$-, $n^{0}$-типа содержатся бистабильные DX-центры. В спектрах нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), измеренных при различных напряжениях смещения $V_{r}$ и импульса заполнения $V_{f}$, в $n^{0}$-слое выявлен положительный DLTS-пик с энергией термической активации $E_{t}$ = 280 мэВ и сечением захвата электронов $\sigma_{n}$ = 3.17$\cdot$10$^{-14}$ см$^{2}$, что является необычным для ловушки основных носителей. Этот пик связывается с отрицательно заряженным состоянием донорной примеси Se/Te, которое является бистабильным DX-центром с отрицательной энергией корреляции $U$.